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Secretaría de Investigación y Doctorado
Av. Paseo Colon 850 Piso 3° C1063ACV Capital Federal
Tel.: 4331-1852 4331-9877
E-mail: secid@fi.uba.ar
Web : http://www.fi.uba.ar/autoridades/secretarias/invydoc/
Secretario : Dra. Marta Rosen

FISICA

LABORATORIO DE FISICA DE DISPOSITIVOS – MICROELECTRONICA

AREA DE INVESTIGACION:
Dispositivos Estado Sólido.
DIRECTOR:

Adrián Faigón, Ph.D. en Física, Profesor Asociado D.E.

DIRECCION:
Laboratorio de Física de Dispositivos – Microelectrónica
Departamento de Física. FIUBA.
Av. Paseo Colón 850, Piso 2º - (C1063ACV) Ciudad Autónoma de Buenos Aires.
Tel.: (+54-11) 4343 0891 Interno 229
Fax: (+54-11) 4331-1852/9877
E-mail: afaigon@fi.uba.ar
INTEGRANTES:

Adrián Faigón, Ph.D. en Física, Profesor Asociado D.E.
Gabriel Redin, Licenciado en Física, Jefe Trabajos Prácticos D.E.
José Lipovetzky, Ingeniero Electrónico, Estudiante Doctorado en Ingeniería, Becario Peruilh.
Mariano García Inza, Estudiante de Ingeniería Electrónica, realizando Trabajo Profesional.
Fernando Tamarizio, Estudiante de Ingeniería Electrónica, realizando Trabajo Profesional. 

TESIS REALIZADAS:

Enrique Miranda, Tesis para Doctorado en Física, FCEyN UBA.
Tesis Lic. en Física FCEyN UBA.
Gabriel Redin, Tesis para Lic. en Física FCEyN UBA.
Andrés Vercik, Tesis para Doctorado en Ingeniería FIUBA.
Tesis Lic. en Física FCEyN UBA.
Felix Palumbo, Tesis para Doctorado en Física, FCEyN UBA.
Tesis Lic. en Física FCEyN UBA.
José Lopez, Trabajo Profesional Ing. Electrónica FIUBA.
Mauricio Maestri, Tesis grado para Ing. Electrónica.
José Lipovetzky, Tesis grado para Ing. Electrónica.

LINEAS DE INVESTIGACION:

El interés del laboratorio se centra en los problemas y oportunidades que plantea el desarrollo de las tecnologías de fabricación de dispositivos, en general asociados a la miniaturización.
Por su lugar dominante entre las tecnologías, nos hemos centrado en dispositivos de tecnología MOS (Metal-Oxido-Semiconductor).
-Túnel a través del óxido y fenómenos asociados.

Es un vasto tema teórico y experimental, con interés por vida útil del dispositivo y por ser principio de funcionamiento de gran parte de las memorias corrientes.

-Efectos de la radiación y aplicación a dosimetría (ver proyectos en curso)

PROYECTOS DE INVESTIGACION EN CURSO:

Efectos de la Radiación en Dispositivos Metal Oxido Semiconductor. Aplicación a un Dosimetro de Sensor Reusable. UBACYT 2004-2007 código I037.
Los procesos de captura de cargas en el aislante de estructuras Metal Oxido Semiconductor (MOS) al ser irradiadas con radiación ionizante, cuyos efectos sirven de indicación dosimétrica; son pasibles de ser revertidos mediante inyección de carga desde los electrodos por efecto túnel, o por adecuada polarización de las estructuras expuestas a radiación similar. Dicha reversibilidad se intenta aprovechar para desarrollar un dosímetro MOS de sensor reusable. El trabajo se orienta a definir las características de los dispositivos reversibles, al estudio de las dinámicas de captura y neutralización de carga en el aislante, y al estudio detallado de la generación de estados interfaciales Si-SiO2 cuya pasivación sería necesaria para una reversibilidad completa.

Dosimetría MOS con sensores reusables. PIP 6140

PALABRAS CLAVES:
Semiconductor - silicio - MOS - túnel - sensores radiación.

EQUIPAMIENTO DISPONIBLE:
Analizador de impedancias de 10 KHz a 1 MHz, modelo HP 4277A.
Dos electrómetros digitales con sensibilidad de 10-15 Amp, con fuente programable de tensión, modelo Keithley 617.
Sistema de adquisición de datos DAC 570 de Keithley.
Sistema de adquisición de datos Agilent 34970A.
Sistema de adquisición de datos portatil de Intelligent Instrumentation
Matriz de conmutación modelo Keithley 505.
Fuente de corriente programable con definición de 10-12 Amp. Keithley 220.
Osciloscopio digital Hitachi 6020.
Osciloscopio Tektronix 2215 A
Probador de obleas Wentworth 705A.
Fuentes, generadores de Ondas, etc.
Todo el instrumental está controlado por computadora a través de interface IEEE-488.

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Responsabilidad sobre contenidos

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